半导体器件建模仿真与分析设计课程,建立系统的知识框架与技术能力_38.69GB

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文件名称: 半导体器件建模仿真与分析设计课程,建立系统的知识框架与技术能力075_共:38.69GB
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文件创建时间:  2024-08-28 20:12:44


目录:【半导体器件建模仿真与分析设计课程,建立系统的知识框架与技术能力】
    0001--3-4_物理模型(二)与Wen度仿真.mp4 [1.20GB]
    0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4 [1.42GB]
    0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4 [706.54MB]
    0010--4-10-基于ICWBEV的工艺仿真(二)与光电二极管仿真.mp4 [1001.73MB]
    0001--3-7-混合模式(二)-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4 [1.32GB]
    0007--4-7-工艺仿真基础(三)(上).mp4 [755.46MB]
    0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4 [1.23GB]
    0001--3-5_碰撞电离与击穿特X仿真.mp4 [1.07GB]
    0001--3-10-交流小信号分析.mp4 [993.87MB]
    0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真,实现纵向和横向设计的完美分离,提高仿真效率.mp4 [677.87MB]
    0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4 [529.65MB]
    0011--4-11-sprocess结构生成(刻蚀、淀积)与MGOALS.mp4 [1022.54MB]
    0006--4-6-工艺仿真基础(二)-Static与Adaptive网格设置.mp4 [1.44GB]
    0005--4-5-工艺仿真基础(一).mp4 [1.59GB]
    0001--3-9-缺陷(二)与辐照特X仿真(总剂量效应).mp4 [735.99MB]
    0003--4-3-版图绘制(中)-Cell处理与实用小工具.mp4 [1.16GB]
    0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4 [715.37MB]
    0001--3-3-器件仿真中的物理模型(一).mp4 [1.21GB]
    0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4 [1.37GB]
    0001--3-14-非完全电离_各向异X与SiC_MOSFET仿真.mp4 [1008.44MB]
    0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp4 [1.49GB]
    0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理(一).mp4 [1.50GB]
    0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4 [955.54MB]
    0001--3-11-交流小信号分析(二).mp4 [960.78MB]
    0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特X的求解.mp4 [1.68GB]
    0001--3-8-缺陷与辐照特X仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp4 [1.27GB]
    0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛X调整思路.mp4 [1.17GB]
    0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4 [549.18MB]
    0004--4-4-版图绘制(下)-派生图层与宏命令编写.mp4 [1.04GB]
    0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4 [1.01GB]
    0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4 [1.28GB]
    0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4 [1.26GB]
    0001--工艺仿真提前梳理(临时).mp4 [697.33MB]
    0002--4-2_版图绘制基础(上).mp4 [514.33MB]
    0008--4-8-工艺仿真基础(三)(下).mp4 [392.85MB]
    0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4 [649.95MB]
    0012--4-12_离子注入仿真(上).mp4 [702.84MB]
    __文字说明__.jpg [74.41KB]
    0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4 [662.63MB]
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